Przyszłoroczne flagowe modele mogą mieć 4GB pamięci RAM. Koreańska firma SK Hynix dostarczyła pierwsze pamięci nowej genereacji producentom sprzętu.
SK Hynix (niegdyś Hyundai Electronics), jest drugim po Samsungu producentem pamięci. Firma pochwaliła się dziś, że wysłała do swoich klientów pamięci nowej generacji i że planuje rozpocząć masową produkcję pod koniec tego roku.
Nowe kości LPDDR3 (LP oznacza low power) są wykonane w 20 nm procesie litograficznym i mają pojemność 8Gb. Można połączyć cztery kości, dzięki czemu możliwe będzie tworzenie smartfonów wyposażonych w 4GB pamięci RAM (4 x 8Gb).
W zeszłym miesiącu nowe pamięci LPDDR3 wykonane w identycznym procesie zaprezentował także Samsung, ale mają one pojemność 4Gb (maksymalna pojemność przy czterech kościach to 2GB). SK Hynix pod względem technologii wyprzedził rynkowego lidera.
Nowe pamięci LPDDR3 Samsunga i SK Hynix mają przepustowość 2133Mb/s. Poprzednia generacja pamięci wykonana w 30 nm procesie technologicznym miała przepustowość 1600Mb/s. Różnica wpłynie na korzyść na ogólną wydajność urządzeń.
Niewykluczone, że pierwsze smartfony z 4GB pamięci LPDDR3 firmy SK Hynix pojawią się już na początku przyszłego roku. Wcześniej do sprzedaży trafią zapewne urządzenia Samsunga z nowymi pamięciami, ale – z powodów, które opisałem wcześniej – będą one zapewne wyposażone w 2GB pamięci.
A kiedy do sprzedaży trafią smartfony z pamięciami o większej pojemności niż 4GB? Najpierw muszą pojawić się 64-bitowe układy ARM.
komórkomania.pl